Различия
Здесь показаны различия между двумя версиями данной страницы.
Предыдущая версия справа и слева Предыдущая версия Следующая версия | Предыдущая версия | ||
solaria [2020/02/16 10:46] potapoff |
solaria [2020/02/19 00:16] potapoff |
||
---|---|---|---|
Строка 17: | Строка 17: | ||
При анализе учитываются: конвекция, излучение и изотермические граничные условия. После первичного задания геометрического описания проекта и граничных условий все это может быть изменено, что дает возможность проверить различные варианты исполнения устройства. Допускается пакетное описание нескольких различных вариантов, после чего все они будут последовательно обсчитаны, и для каждого из них будет сформирована и сохранена на диске полная трехмерная тепловая модель. | При анализе учитываются: конвекция, излучение и изотермические граничные условия. После первичного задания геометрического описания проекта и граничных условий все это может быть изменено, что дает возможность проверить различные варианты исполнения устройства. Допускается пакетное описание нескольких различных вариантов, после чего все они будут последовательно обсчитаны, и для каждого из них будет сформирована и сохранена на диске полная трехмерная тепловая модель. | ||
+ | |||
+ | ---- | ||
+ | **Тепловое моделирование корпусов микросхем** | ||
+ | |||
+ | Юрий Потапов, Eda Expert 2004'7 | ||
+ | |||
+ | Американская компания Harvard Thermal свыше 17 лет работает на рынке программных продуктов, предназначенных для теплового моделирования процессов в многослойных и объемных структурах, и добилась в этой области больших успехов. | ||
+ | Пакет Package Thermal Designer (PTD) представляет собой автономное приложение Windows, предназначенное для моделирования тепловых процессов в корпусах сложных современных микросхем. Пакет включает средства подготовки данных, вычислительное ядро и средства для обработки результатов расчета. Удобный и понятный интерфейс программы дает пользователям возможность работать на ней, даже если они не являются специалистами в области теплового моделирования. Имеется возможность импорта анализируемой структуры из механических или электронных САПР, что значительно упрощает геометрическое описание проекта. В результате расчета автоматически формируется подробная трехмерная модель микросхемы. | ||
+ | |||
+ | [[http://www.eurointech.ru/EDA_Expert/EDA_Expert_7_32_33.pdf|Читать полностью]] | ||
---- | ---- |