Различия
Здесь показаны различия между двумя версиями данной страницы.
| Предыдущая версия справа и слева Предыдущая версия Следующая версия | Предыдущая версия | ||
|
comsol [2023/11/23 20:14] potapoff |
comsol [2023/11/23 20:28] potapoff |
||
|---|---|---|---|
| Строка 5: | Строка 5: | ||
| === Теплоэлектрические процессы в многокристальных системах === | === Теплоэлектрические процессы в многокристальных системах === | ||
| + | |||
| + | Журнал Радиоэлектроники 2023'11 | ||
| + | |||
| + | {{:comsol:clip231123-201347.png?300}} | ||
| Представлены результаты исследований теплоэлектрических процессов в многокристальных системах, частным случаем которых являются силовые модули на полевых или биполярных транзисторах. Для полного описания таких процессов необходимо знать тепловые связи между всеми транзисторами модуля, характеризуемые матрицей тепловых импедансов. Для измерения элементов матрицы предлагается использовать модуляционный метод, основанный на разогреве каждого транзистора модуля переменной тепловой мощностью и измерении температурного отклика на это воздействие всех остальных транзисторов. Предложена также тепловая модель многокристальной системы и на основе решения уравнения теплопроводности в среде COMSOL Multiphysics произведен расчет температурного поля по подложке, на которой смонтированы кристаллы. Результаты моделирования хорошо согласуются с экспериментальными результатами, что говорит об адекватности тепловой модели. | Представлены результаты исследований теплоэлектрических процессов в многокристальных системах, частным случаем которых являются силовые модули на полевых или биполярных транзисторах. Для полного описания таких процессов необходимо знать тепловые связи между всеми транзисторами модуля, характеризуемые матрицей тепловых импедансов. Для измерения элементов матрицы предлагается использовать модуляционный метод, основанный на разогреве каждого транзистора модуля переменной тепловой мощностью и измерении температурного отклика на это воздействие всех остальных транзисторов. Предложена также тепловая модель многокристальной системы и на основе решения уравнения теплопроводности в среде COMSOL Multiphysics произведен расчет температурного поля по подложке, на которой смонтированы кристаллы. Результаты моделирования хорошо согласуются с экспериментальными результатами, что говорит об адекватности тепловой модели. | ||
| - | [[https://www.soel.ru/read/391/136395/#48|Читать полностью]] | + | [[http://jre.cplire.ru/jre/nov23/5/text.pdf|Читать полностью]] |
| ---- | ---- | ||
| Строка 15: | Строка 19: | ||
| Татьяна Колесникова, СОЭЛ 2020'7 | Татьяна Колесникова, СОЭЛ 2020'7 | ||
| - | |||
| - | {{:comsol:clip231123-201347.png?300}} | ||
| В статье рассматривается задача мультифизического моделирования процессов, происходящих в электронном устройстве, и примеры её решения с помощью программы COMSOL Multiphysics. Средства программы позволяют оценить нагрев компонентов и токопроводящих дорожек, направление протекания тока, распределение электрического потенциала и температуры на поверхности печатной платы, вызванную тепловым расширением деформацию, оптимально скомпоновать печатный узел и выбрать способы его охлаждения. | В статье рассматривается задача мультифизического моделирования процессов, происходящих в электронном устройстве, и примеры её решения с помощью программы COMSOL Multiphysics. Средства программы позволяют оценить нагрев компонентов и токопроводящих дорожек, направление протекания тока, распределение электрического потенциала и температуры на поверхности печатной платы, вызванную тепловым расширением деформацию, оптимально скомпоновать печатный узел и выбрать способы его охлаждения. | ||